[实用新型]反应室、设备和装置有效
申请号: | 201320319175.X | 申请日: | 2013-06-05 |
公开(公告)号: | CN203360570U | 公开(公告)日: | 2013-12-25 |
发明(设计)人: | J·伊尔马里宁;T·洪卡宁 | 申请(专利权)人: | BENEQ有限公司 |
主分类号: | C23C16/448 | 分类号: | C23C16/448 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 卓霖 |
地址: | 芬兰*** | 国省代码: | 芬兰;FI |
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摘要: | 本实用新型涉及用于利用气溶胶辅助沉积工艺在衬底(28)上提供涂层(30)的反应室(4)、设备和装置,在所述气溶胶辅助沉积工艺中,使得一种或多种前体材料在衬底(28)的表面(29)上反应。反应室(4)包括用于形成反应空间(24)的底部(26)、顶壁(2)和侧壁(34),所述反应空间具有反应空间高度(H1)和反应空间宽度(W1);一个或多个前体供应装置(10,18,20),其用于将一种或多种前体材料供应到反应空间(24);和一种或多种排放装置(8),其用于从反应空间排放前体材料。根据本实用新型,反应空间(14)沿着反应室(4)的侧壁(34)在边缘区域(36)处具有降低的高度(H5)。 | ||
搜索关键词: | 反应 设备 装置 | ||
【主权项】:
一种反应室(4),所述反应室用于利用气溶胶辅助沉积工艺在衬底(28)上提供涂层(30),在所述气溶胶辅助沉积工艺中,一种或多种前体材料在所述衬底(28)的表面(29)上反应,所述反应室(4)具有底部(26)、顶壁(22,19,21)和侧壁(34),所述反应室(4)包括: ‑反应空间(24),所述反应空间具有反应空间高度(H1)和反应空间宽度(W1); ‑一个或多个前体供应装置(10,18,20),所述前体供应装置用于将一种或多种前体材料供应到所述反应空间(24);和 ‑一个或多个排放装置(8),所述排放装置用于从所述反应空间(24)排放前体材料, 所述一个或多个前体供应装置(10,18,20)和所述一个或多个排放装置(8)布置成使得所述一种或多种前体材料流动通过位于前体供应装置(10,18,20)和排放装置(8)之间的所述反应空间(24), 其特征在于,所述反应空间(24)沿着所述反应室(4)的所述侧壁(34)在第一边缘区部(36)处具有降低的高度(H5)。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
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