[实用新型]半导体器件有效
| 申请号： | 201320259327.1 | 申请日： | 2013-05-14 |
| 公开（公告）号： | CN203481192U | 公开（公告）日： | 2014-03-12 |
| 发明（设计）人： | 沈一权;俊谟具 | 申请（专利权）人： | 新科金朋有限公司;星科金朋（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/56 | 分类号： | H01L21/56;H01L23/31;H01L23/538;H01L21/768 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 方世栋;朱海煜 |
| 地址： | 新加坡*** | 国省代码： | 新加坡;SG |
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| 摘要： | 实用新型涉及一种半导体器件，具有半导体裸片和被形成在所述半导体裸片上的第一绝缘层。在所述第一绝缘层中形成图案化的沟槽。通过将模版布置在所述第一绝缘层上（其中开口与所述图案化的沟槽对齐）并且通过所述模版中的开口将导电油墨沉积到所述图案化的沟槽中，所述导电油墨被沉积在所述图案化的沟槽中。可替代地，通过经由喷嘴将所述导电油墨分发到所述图案化的沟槽中来沉积所述导电油墨。在室温下通过紫外光将所述导电油墨固化。在所述第一绝缘层和导电油墨上形成第二绝缘层。在所述导电油墨上形成互连结构。密封剂可以被沉积在所述半导体裸片周围。所述图案化的沟槽被形成在所述密封剂中并且所述导电油墨被沉积在所述密封剂中的所述图案化的沟槽中。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：半导体裸片；被形成在所述半导体裸片上的第一绝缘层；被形成在所述第一绝缘层中的图案化的沟槽；被沉积在所述图案化的沟槽中并且由紫外光固化的导电油墨；被形成在所述第一绝缘层和导电油墨上的第二绝缘层；以及被形成在所述导电油墨上的互连结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
