[实用新型]半导体器件有效

专利信息
申请号: 201320259327.1 申请日: 2013-05-14
公开(公告)号: CN203481192U 公开(公告)日: 2014-03-12
发明(设计)人: 沈一权;俊谟具 申请(专利权)人: 新科金朋有限公司;星科金朋(上海)有限公司
主分类号: H01L21/56 分类号: H01L21/56;H01L23/31;H01L23/538;H01L21/768
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 方世栋;朱海煜
地址: 新加坡*** 国省代码: 新加坡;SG
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摘要:
搜索关键词: 半导体器件
【权利要求书】:

1.一种半导体器件,包括:

半导体裸片;

被形成在所述半导体裸片上的第一绝缘层;

被形成在所述第一绝缘层中的图案化的沟槽;

被沉积在所述图案化的沟槽中并且由紫外光固化的导电油墨;

被形成在所述第一绝缘层和导电油墨上的第二绝缘层;以及

被形成在所述导电油墨上的互连结构。

2.如权利要求1所述的半导体器件,其特征在于,其中所述导电油墨在室温下被固化。

3.如权利要求1所述的半导体器件,其特征在于,进一步包括被布置在所述第一绝缘层上的模版,其中所述导电油墨通过所述模版而被沉积到所述沟槽中。

4.如权利要求1所述的半导体器件,其特征在于,进一步包括被沉积在所述半导体裸片上的密封剂,其中所述图案化的沟槽被形成在所述密封剂中并且所述导电油墨被沉积在所述密封剂中的所述图案化的沟槽中。

5.一种半导体器件,包括:

衬底;

被形成在所述衬底上的第一绝缘层;

被形成在所述第一绝缘层中的沟槽;

被沉积在所述沟槽中的导电油墨;以及

被沉积在所述衬底上的密封剂,其中所述沟槽被形成在所述密封剂中并且所述导电油墨被沉积在所述密封剂中的所述沟槽中。

6.如权利要求5所述的半导体器件,其特征在于,其中所述导电油墨被紫外光固化。

7.如权利要求5所述的半导体器件,其特征在于,其中所述导电油墨在室温下被固化。

8.如权利要求5所述的半导体器件,其特征在于,进一步包括:

被形成在所述第一绝缘层和导电油墨上的第二绝缘层;以及

被形成在所述导电油墨上的互连结构。

9.如权利要求5所述的半导体器件,其特征在于,进一步包括被布置在所述第一绝缘层上的模版,其中所述导电油墨通过所述模版而被沉积到所述沟槽中。

10.如权利要求5所述的半导体器件,其特征在于,进一步包括喷嘴,其中所述导电油墨通过所述喷嘴而被沉积到所述沟槽中。

11.一种半导体器件,包括:

衬底;

被形成在所述衬底上的第一绝缘层;

被形成在所述第一绝缘层中的沟槽;以及

被沉积在所述沟槽中并且由紫外光固化的导电油墨。

12.如权利要求11所述的半导体器件,其特征在于,其中所述导电油墨在室温下被固化。

13.如权利要求11所述的半导体器件,其特征在于,进一步包括被布置在所述第一绝缘层上的模版,其中所述导电油墨通过所述模版而被沉积到所述沟槽中。

14.如权利要求11所述的半导体器件,其特征在于,进一步包括:

被形成在所述第一绝缘层和导电油墨上的第二绝缘层;以及

被形成在所述导电油墨上的互连结构。

15.如权利要求11所述的半导体器件,其特征在于,进一步包括被沉积在所述衬底上的密封剂,其中所述沟槽被形成在所述密封剂中并且所述导电油墨被沉积在所述密封剂中的所述沟槽中。

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