[实用新型]一种大功率MOSFET负压驱动电路

摘要

本实用新型公开了一种大功率MOSFET负压驱动电路，特别涉及一种利用电荷泵原理来实现定时关断的半桥式大功率MOSFET负压驱动电路。该电路包括半桥式驱动电路、保护电路、负压电路和MOSFET管Q。所述的半桥式驱动电路由NPN型三极管T1和PNP型三极管T2组成；所述的保护电路由电容C1、二极管D和电阻R1组成；所述的负压电路由电容C2、C3和电阻R2、R3组成；所述的MOSFET管Q的栅极G接在电容C1的负极；微处理器输出的PWM信号同时接在双极型三极管T1和T2的基极。该电路结构简单、成本低廉，使用单一电源实现功率MOSFET的负压驱动，提高了驱动电路的抗干扰性，防止干扰波对功率MOSFET的误触发。同时保证MOSFET定时关断，在微处理器故障时，避免MOSFET长时间开通导致电流过大引起的器件损害。

主权项

一种大功率MOSFET负压驱动电路，其特征在于，包括半桥式驱动电路、保护电路、负压电路和MOSFET管Q，所述的半桥式驱动电路包括NPN型三极管T1和PNP型三极管T2；所述的保护电路包括电容C1、二极管D和电阻R1；所述的负压电路包括电容C2、C3和电阻R2、R3；所述MOSFET管Q的栅极G与电容C1的负极相连，MOSFET管Q的源极S同时与电容C3的正极和电阻R3相连；所述的NPN型三极管T1集电极C与电源V+相连，三极管T1的发射极E与PNP型三极管T2的集电极C相连；所述的PNP型三极管T2的基极B同时与三极管T1的基极B和PWM的信号输入端相连，三极管T2的发射极E与地相连，所述电容C1的正极连接三极管T1的发射极E；所述二极管D的正极接地，二极管D的负极接电容C1的负极；所述电阻R1接在电容C1的负极与地两端；所述电容C2的正极与电源V+相连；所述电容C3的正极与电容C2的负极相连，电容C3的负极接地；所述电阻R2接在电源V+与电阻R3的两端；所述电阻R3接在电阻R2与地的两端。