[实用新型]与红外低阻抗光导探测器匹配的CMOS放大电路有效

专利信息
申请号: 201320139873.1 申请日: 2013-03-26
公开(公告)号: CN203251272U 公开(公告)日: 2013-10-23
发明(设计)人: 袁红辉;陈永平;陈世军 申请(专利权)人: 中国科学院上海技术物理研究所
主分类号: H03F3/45 分类号: H03F3/45
代理公司: 上海新天专利代理有限公司 31213 代理人: 郭英
地址: 200083 *** 国省代码: 上海;31
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摘要: 专利公开了一种与长波红外低阻抗光导探测器匹配的CMOS放大电路,该放大电路在输入端采用桥式电路方式,适合20欧姆到200欧姆低输入阻抗红外光导探测器信号的放大,能在液氮温度下工作。第一级双端输入单端输出差分放大器采用正负电源供电,可以使输入静态电压不受MOS管阈值电压限制。与偏置电阻和探测器对应的另一条支路采用10K欧姆与50欧姆串联,使从另一偏置输入端引入的噪声抑制比达到200倍,有利减小电路总噪声。在一定的带宽要求下为了增加前级增益降低等效输入噪声,放大器的负输入端与输出之间采用1M欧姆的反馈电阻。桥式输入方式、第一级放大器和第二级之间均采用直接连接方式,该放大器即能放大交流信号又能放大直流信号。
搜索关键词: 红外 阻抗 探测器 匹配 cmos 放大 电路
【主权项】:
一种与长波红外低阻抗光导探测器匹配的CMOS放大电路,其特征在于:所述的CMOS放大电路在输入端采用桥式电路方式,其中一条为探测器与10K欧姆电阻串联;另一条桥路的电阻采用比值高于200倍的两个电阻串联;其双端输入单端输出放大器采用正负电源供电;在负输入端与输出之间采用阻值高于1M欧姆的反馈电阻来实现第一级放大;第二级放大采用正端放大方式,放大倍数高于10倍;桥式输入、第一级和第二级之间均采用直接耦合。
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