[实用新型]半导体器件有效
| 申请号： | 201320118464.3 | 申请日： | 2013-03-15 |
| 公开（公告）号： | CN203242637U | 公开（公告）日： | 2013-10-16 |
| 发明（设计）人： | R.西米尼克;F.希尔勒;O.布兰克 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技奥地利有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/739;H01L29/06 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 曲宝壮;李浩 |
| 地址： | 奥地利*** | 国省代码： | 奥地利;AT |
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| 摘要： | 本实用新型提供了一种半导体器件，包括第一导电类型的漂移层(4)；在所述漂移层(4)上的第二导电类型的体区(7)；在所述体区(7)上的第一导电类型的源区(8)；穿过源区(8)、体区(7)延伸进入漂移层(4)的沟槽结构（9），所述沟槽结构（9）包括至少一个栅电极(12)和绝缘结构(10)，其中，所述绝缘结构(10)的一部分在体区(7)下面延伸，其中，所述漂移层(4)、源区(8)和体区(7)中的至少一个包括缺陷化的半导体材料。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：第一导电类型的漂移层(4)；在所述漂移层(4)上的第二导电类型的体区(7)；在所述体区(7)上的第一导电类型的源区(8)；穿过源区(8)、体区(7)延伸进入漂移层(4)的沟槽结构（9），所述沟槽结构包括至少一个栅电极(12)和绝缘结构(10)，其中，所述绝缘结构(10)的一部分在体区(7)下面延伸，其中，所述漂移层(4)、源区(8)和体区(7)中的至少一个包括缺陷化的半导体材料。
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