[实用新型]半导体器件有效
| 申请号： | 201320118296.8 | 申请日： | 2013-03-15 |
| 公开（公告）号： | CN203242635U | 公开（公告）日： | 2013-10-16 |
| 发明（设计）人： | M.菲莱迈耶;M.波尔兹尔;O.布兰克 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技奥地利有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/739;H01L29/423;H01L29/417 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 马丽娜;李浩 |
| 地址： | 奥地利*** | 国省代码： | 奥地利;AT |
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| 摘要： | 一种半导体器件，包括：第一导电类型的第一区；位于所述第一区之上的第二导电类型的第二区；位于所述第二区之上的第一导电类型的第三区；以及从所述第三区的上表面嵌入在所述第三区、所述第二区和所述第一区中的多个沟槽，所述多个沟槽彼此间隔开，并且每个沟槽的底表面位于所述第一区中，位于所述多个沟槽的每一个中的栅电极；以及位于所述多个沟槽的每一个中的源电极，每个源电极在栅电极和沟槽的底部之间延伸。该半导体器件还包括用于将沟槽中的源电极电连接到外部的指状源电极和/或用于将沟槽中的栅电极电连接到外部的指状栅电极。利用根据本实用新型的指状电极，能有效地降低沟槽中的栅电极和/或源电极的电阻，从而能降低器件的总导通电阻，改善器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：第一导电类型的第一区；位于所述第一区之上的第二导电类型的第二区；位于所述第二区之上的第一导电类型的第三区；以及从所述第三区的上表面嵌入在所述第三区、所述第二区和所述第一区中的多个沟槽，所述多个沟槽彼此间隔开，并且每个沟槽的底表面位于所述第一区中，位于所述多个沟槽的每一个中的栅电极；以及位于所述多个沟槽的每一个中的源电极，每个源电极在栅电极和沟槽的底部之间延伸，其特征在于，该半导体器件还包括用于将沟槽中的源电极电连接到外部的指状源电极和/或用于将沟槽中的栅电极电连接到外部的指状栅电极。
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