[实用新型]半导体器件有效
| 申请号： | 201320118235.1 | 申请日： | 2013-03-15 |
| 公开（公告）号： | CN203242633U | 公开（公告）日： | 2013-10-16 |
| 发明（设计）人： | R.西米尼克;M.胡茨勒;O.布兰克;L.J.叶 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技奥地利有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/739;H01L29/40 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 曲宝壮;李浩 |
| 地址： | 奥地利*** | 国省代码： | 奥地利;AT |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种半导体器件，包含：第一导电类型的漂移层（4）；漂移层（4）上第二导电类型的体区（7）；体区（7）上第一导电类型的源区（8）；位于沟槽中场板（13）和/或栅电极（12），所述沟槽延伸进入漂移层（4）；电介质层（17）上的互连层（22），其中互连层（22）经由电介质层（17）中的至少两个接触孔电连接到同一场板（13）和/或同一栅电极（12）；用于连接源区（8）到互连层（22）的接触插塞（21）。其中，所述漂移层（4）、源区（8）和体区（7）中的至少一个包括缺陷化的半导体材料。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包含：第一导电类型的漂移层（4）；漂移层（4）上第二导电类型的体区（7）；体区（7）上第一导电类型的源区（8）；位于沟槽中场板（13）和/或栅电极(12)，所述沟槽延伸进入漂移层（4）；电介质层（17）上的互连层（22），其中互连层（22）经由电介质层（17）中的至少两个接触孔电连接到同一场板（13）或同一栅电极(12)；用于连接源区（8）到互连层（22）的接触插塞（21），其中，所述漂移层(4)、源区(8)和体区(7)中的至少一个包括缺陷化的半导体材料。
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