[实用新型]一种无源电路耦合的环孔型碲镉汞芯片

摘要

本实用新型公开了一种无源电路耦合的环孔型碲镉汞芯片，该芯片采用环孔工艺，把碲镉汞芯片耦合在无源电路上，即离子束刻蚀环孔的同时，在互连孔周围形成一个圆柱形N-on-P结，通过环孔金属化实现n型区与无源电路的互连。本实用新型的优点在于芯片可以通过金丝互连与读出电路实现连接，不仅克服了金丝覆盖光敏面问题，又可独立探测器芯片和读出电路，提高焦平面的成品率，同时发挥了环孔型探测器的优势，工艺简单，且具有高的填充因子。

主权项

一种无源电路耦合的环孔型碲镉汞芯片，包括无源电路（1），通过环氧树脂胶（2）与无源电路（1）牢固结合的p型HgCdTe层（3），环孔通道（4），环孔通道周围的n型区（5），环孔通道内的金属层（6）和公共电极层（7），其特征在于：无源电路（1）通过环氧树脂胶（2）粘接在p型HgCdTe层（3）上，在p型HgCdTe层（3）上有刻蚀形成的环孔通道（4），环孔通道（4）内沉积环孔通道内的金属层（6），环孔通道周围的n型区（5）通过环孔通道内的金属层（6）与无源电路（1）相连，p型HgCdTe层（3）上沉积有公共电极层（7），公共电极层（7）使p型HgCdTe层（3）与无源电路（1）相连。