[实用新型]一种源瓶恒温阱有效
| 申请号： | 201320042606.2 | 申请日： | 2013-01-23 |
| 公开（公告）号： | CN203134758U | 公开（公告）日： | 2013-08-14 |
| 发明（设计）人： | 白留飞;苏正宾;王广军;陈华伟 | 申请（专利权）人： | 洛阳尚德太阳能电力有限公司;无锡尚德太阳能电力有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/228 | 分类号： | H01L21/228;H01L31/18 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 471000 河南省*** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种源瓶恒温阱。现有技术源瓶只能水平放置在源瓶恒温阱中会导致源瓶中残留较多的源液从而造成浪费。本实用新型的源瓶恒温阱具有基座和设置在基座中且与源瓶相匹配的凹槽，所述凹槽的底面与基座的放置面间的夹角的范围为5度至60度，从而使源瓶倾斜设置在源瓶恒温阱中。本实用新型可提高源液利用率，降低生产成本，并且减少有毒物质的排放，有效减轻环境污染。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 恒温 | ||
【主权项】：
一种源瓶恒温阱，其特征在于，所述源瓶恒温阱具有基座和设置在基座中且与源瓶相匹配的凹槽，所述凹槽的底面与基座的放置面间的夹角范围为5度至60度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
