[实用新型]一种影像传感器有效
申请号: | 201320018126.2 | 申请日: | 2013-01-14 |
公开(公告)号: | CN203085542U | 公开(公告)日: | 2013-07-24 |
发明(设计)人: | 李平 | 申请(专利权)人: | 陆伟 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京轻创知识产权代理有限公司 11212 | 代理人: | 杨立 |
地址: | 200124 上海市*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本实用新型涉及半导体领域,具体来说是一种影像传感器。本实用新型包括键合后的逻辑晶圆和器件晶圆,所述器件晶圆上设有与器件晶圆顶层金属相连接的沟槽,所述沟槽底部设有与逻辑晶圆顶层金属连接的通孔,所述沟槽与通孔之中布满金属铜,所述通孔的拐角为大开口圆滑拐角。本实用新型在通过电镀方式填充铜时,铜先从沟槽的顶端往下填充,然后填充到沟槽的底部、即通孔的开口处填充,然后逐步向下填充,由于通孔的深宽比值大,在此处填充铜极易造成过早封口现象或空洞的产生,将所述通孔的拐角处设计成大开口圆滑拐角,使所述沟槽进行电镀铜填充时,铜不易在开口处堆积,这样就可以避免封口以及空洞的产生。 | ||
搜索关键词: | 一种 影像 传感器 | ||
【主权项】:
一种影像传感器,包括键合后的逻辑晶圆和器件晶圆,其特征在于,所述器件晶圆上设有与器件晶圆顶层金属相连接的沟槽,所述沟槽底部设有与逻辑晶圆顶层金属连接的通孔,所述沟槽与通孔之中布满金属铜,所述通孔的拐角为大开口圆滑拐角。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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