[发明专利]薄膜晶体管基板的制造方法

摘要

本发明提供一种薄膜晶体管基板的制造方法，制程简单，通过连续成膜氧化物半导体层与源/漏极实现良好的接触界面，避免了由于接触电阻过大而产生的拥挤效应，同时，源/漏极通过含有钽的金属材料制得并在源/漏极蚀刻制程中采用含有过氧化氢的蚀刻液对其进行蚀刻，避免了传统蚀刻液对于氧化物半导体层的破坏，提升了薄膜晶体管基板的品质，且，不需要另外制作一层刻蚀阻挡层来保护背沟道处的氧化物半导体层，保证了较高的沟道宽长比（W/L），简化了薄膜晶体管基板的结构，减少了制作过程，降低了生产成本，提高了生产良率。

主权项

一种薄膜晶体管基板的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1、提供基片（20）；步骤2、在所述基片（20）上形成第一金属层，并图案化该第一金属层，以形成栅极（22）；步骤3、在所述栅极（22）与基片（20）上形成栅极绝缘层（24）；步骤4、在所述栅极绝缘层（24）上连续成膜依次形成氧化物半导体层（25）及第二金属层，并图案化该第二金属层，以形成源/漏极（26），其中该第二金属层包含有钽；步骤5、图案化所述氧化物半导体层（25），以露出部分栅极绝缘层（24）；步骤6、在所述源/漏极（26）、氧化物半导体层（25）及栅极绝缘层（24）上形成钝化层（27），并图案化该钝化层（27），以露出部分源/漏极（26）及部分氧化物半导体层（25）；步骤7、在所述钝化层（27）及露出的部分源/漏极（26）上形成透明导电层，并图案化该透明导电层，以形成像素电极（28）。