[发明专利]半导体器件及其形成方法在审
| 申请号： | 201310754038.3 | 申请日： | 2013-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN104752223A | 公开（公告）日： | 2015-07-01 |
| 发明（设计）人： | 张海洋;任佳 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件及其形成方法，包括：提供衬底；在衬底上形成栅极；在栅极的侧壁上形成侧墙；在栅极、侧墙以及衬底上形成沉积层，沉积层与衬底的材料相同；在形成沉积层后，对栅极两侧的沉积层以及衬底进行掺杂，以形成源区以及漏区。此外，本发明还提供一种半导体器件，包括：衬底、设于衬底上的栅极、设于栅极的侧壁的侧墙、设于栅极、侧墙以及衬底上的沉积层，沉积层与衬底的材料相同。本发明的技术方案具有以下优点：尽量补偿在进行第一掺杂之前，衬底上可能产生的凹陷；尽量补偿在第一掺杂之后、第二掺杂之前，衬底或者第一沉积层上可能产生的凹陷，以尽量填平衬底上的凹陷，同时尽量使形成的源区、漏区不向衬底底部偏移。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底；在所述衬底上形成栅极；在所述栅极的侧壁上形成侧墙；在所述栅极、侧墙以及衬底上形成沉积层，所述沉积层与所述衬底的材料相同；在形成所述沉积层后，对所述栅极两侧的沉积层以及衬底进行掺杂。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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