[发明专利]薄膜晶体管、包括其的薄膜晶体管阵列面板及其制造方法在审
| 申请号： | 201310752130.6 | 申请日： | 2013-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN103915490A | 公开（公告）日： | 2014-07-09 |
| 发明（设计）人： | 车明根;李镕守;姜闰浩;罗玄宰;柳世桓;李宗璨;沈栋焕 | 申请（专利权）人： | 三星显示有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/768 | 分类号： | H01L29/768;H01L27/12;H01L21/77 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 余刚;吴孟秋 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明涉及薄膜晶体管、包括其的薄膜晶体管阵列面板及其制造方法。一种薄膜晶体管阵列面板包括：基板；沟道区，设置在基板上并且包括设置在基板上的氧化物半导体；源电极和漏电极，连接到氧化物半导体并且在以氧化物半导体为中心的两侧处面向彼此；绝缘层，设置在氧化物半导体上；以及栅电极，设置在绝缘层上。漏电极包括第一漏极区和第二漏极区；第一漏极区的电荷迁移率大于第二漏极区的电荷迁移率；源电极包括第一源极区和第二源极区，并且第一源极区的电荷迁移率大于第二源极区的电荷迁移率。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 包括 阵列 面板 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管，包括：沟道区，包括氧化物半导体；源电极和漏电极，连接到所述沟道区，所述沟道区被设置在所述源电极与所述漏电极之间，并且所述漏电极包括第一漏极区和第二漏极区；绝缘层，被设置在所述沟道区上；栅电极，被设置在所述绝缘层上；以及钝化层，被设置在所述源电极和所述漏电极上并且具有暴露出所述漏电极的所述第一漏极区的第一接触孔，并且其中，所述第一漏极区的电荷迁移率大于或者等于所述第二漏极区的电荷迁移率。
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