[发明专利]AMOLED阵列基板及显示装置在审
申请号: | 201310749880.8 | 申请日: | 2013-12-31 |
公开(公告)号: | CN103700675A | 公开(公告)日: | 2014-04-02 |
发明(设计)人: | 永山和由 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L27/32 |
代理公司: | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人: | 李迪 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了一种AMOLED阵列基板,包括在衬底基板上以阵列形式形成的若干像素结构,每个像素结构由栅线及与栅线均垂直的信号线和电源线围成,每个像素结构包括:薄膜晶体管结构、阳极、阴极及阳极和阴极之间的有机发光层,阳极位于每个像素结构对应的区域,阴极为覆盖整个阵列基板的透明电极,非像素结构区域对应的阳极和阴极之间形成有绝缘间隔层,阳极、有机发光层和阴极形成有机发光二极管,栅线、信号线及电源线通过薄膜晶体管结构共同驱动有机发光二极管发光,其特征在于,还包括形成在与阳极同层,且位于栅线、信号线和电源线对应区域的至少一条阴极辅助线,阴极辅助线通过穿过绝缘间隔层的至少两个过孔连接阴极。本发明在不影响开口率的情况下,减小了阴极电阻。 | ||
搜索关键词: | amoled 阵列 显示装置 | ||
【主权项】:
一种AMOLED阵列基板,包括在衬底基板上以阵列形式形成的若干像素结构,所述每个像素结构由栅线及与所述栅线均垂直的信号线和电源线围成,所述每个像素结构包括:薄膜晶体管结构、阳极、阴极及阳极和阴极之间的有机发光层,所述阳极位于每个像素结构对应的区域,阴极为覆盖整个阵列基板的透明电极,非像素结构区域对应的阳极和阴极之间形成有绝缘间隔层,所述阳极、有机发光层和阴极形成有机发光二极管,所述栅线、信号线及电源线通过所述薄膜晶体管结构共同驱动所述有机发光二极管发光,其特征在于,还包括形成在与所述阳极同层,且位于所述栅线、信号线和电源线对应区域的至少一条阴极辅助线,所述阴极辅助线通过穿过所述绝缘间隔层的至少两个过孔连接所述阴极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的