[发明专利]一种镁合金表面复合膜的制备方法有效
| 申请号： | 201310747008.X | 申请日： | 2013-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN103726059A | 公开（公告）日： | 2014-04-16 |
| 发明（设计）人： | 赵明;宋辉;何广平;卢光华;赵全亮 | 申请（专利权）人： | 北方工业大学 |
| 主分类号： | C23F17/00 | 分类号： | C23F17/00;C23C22/07;C23C16/513;C23C16/40;C23C16/34 |
| 代理公司： | 北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙) 11350 | 代理人： | 汤东凤 |
| 地址： | 100144 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种镁合金表面复合膜的制备方法，包括按顺序进行的如下步骤：步骤[1]将镁合金表面进行磷酸盐转化处理，在镁合金表面形成一层磷酸盐转化膜；步骤[2]采用等离子体增强化学气相沉积方法在经过步骤[1]处理后镁合金的磷酸盐转化膜表面沉积一层二氧化硅层；步骤[3]采用等离子体增强化学气相沉积方法在经过步骤[2]处理后镁合金的二氧化硅层表面沉积一层氮化硅层。本发明在磷酸盐转化膜基层上沉积的二氧化硅层可植根于磷酸盐转化膜基层均匀分布的微孔隙中生长，促进了磷酸盐转化膜基层与二氧化硅层的有效结合，二氧化硅层有利于等离子体增强化学气相沉积氮化硅层的生长，而氮化硅层具有良好的抗氧化性和绝缘性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 镁合金 表面 复合 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种镁合金表面复合膜的制备方法，其特征在于：包括按顺序进行的如下步骤：步骤[1]将镁合金表面进行磷酸盐转化处理，在镁合金表面形成一层磷酸盐转化膜；步骤[2]采用等离子体增强化学气相沉积方法在经过步骤[1]处理后镁合金的磷酸盐转化膜表面沉积一层二氧化硅层；步骤[3]采用等离子体增强化学气相沉积方法在经过步骤[2]处理后镁合金的二氧化硅层表面沉积一层氮化硅层。
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