[发明专利]测量4管像素单元CMOS图像传感器钉扎电压的方法在审
| 申请号： | 201310746939.8 | 申请日： | 2013-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN103698582A | 公开（公告）日： | 2014-04-02 |
| 发明（设计）人： | 谈佳明 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路研发中心有限公司 |
| 主分类号： | G01R19/00 | 分类号： | G01R19/00 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 吴世华;林彦之 |
| 地址： | 201210 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种像素单元的钉扎光电管的钉扎电压的测量方法，包括：将复位晶体管的漏极电压连接至电源电压，同时打开传输晶体管及复位晶体管，以清空钉扎光电管中的电荷；保持传输晶体管及复位晶体管同时打开的状态下，将复位晶体管的漏极电压连接至一控制电压，将一定量的电荷引入光电管中；之后关闭传输晶体管和复位晶体管；保持钉扎光电管的电荷量不变，将复位晶体管的漏极电压连接至电源电压，依次打开复位晶体管和传输晶体管，读出像素单元的输出电压；重复上述步骤，获得控制电压与像素单元的输出电压的关系曲线，根据所述关系曲线确定钉扎光电管的钉扎电压。本发明能够方便、高效、准确地测量4管像素单元的CMOS图像传感器的钉扎电压值。 | ||
| 搜索关键词： | 测量 像素 单元 cmos 图像传感器 电压 方法 | ||
【主权项】：
一种4管像素单元CMOS图像传感器钉扎电压的测量方法，所述4管像素单元包括所述钉扎光电管，传输晶体管，悬浮点，复位晶体管，源跟随器和选通管，所述测量方法包括：步骤S1：将所述复位晶体管的漏极电压连接至供电电压，同时打开所述传输晶体管及所述复位晶体管，以清空所述钉扎光电管中的电荷；步骤S2：保持所述传输晶体管及所述复位晶体管同时打开的状态下，将所述复位晶体管的漏极电压连接至一控制电压，将一定量的电荷从所述悬浮点引入所述钉扎光电管中；之后关闭所述传输晶体管和所述复位晶体管；步骤S3：保持所述钉扎光电管的电荷量不变，将所述复位晶体管的漏极电压连接至所述供电电压，依次打开所述复位晶体管和所述传输晶体管，读出像素单元的输出电压；重复进行步骤S1至步骤S3，获得所述控制电压与所述像素单元的输出电压的关系曲线，根据所述关系曲线确定所述钉扎光电管的钉扎电压。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海集成电路研发中心有限公司，未经上海集成电路研发中心有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310746939.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：防水连接器用端子
- 下一篇：基于超声波传感器的公交车客流统计系统
