[发明专利]存储器的形成方法在审
| 申请号： | 201310745680.5 | 申请日： | 2013-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN104752357A | 公开（公告）日： | 2015-07-01 |
| 发明（设计）人： | 仇圣棻;胡建强 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8247 | 分类号： | H01L21/8247;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种存储器的形成方法，提供衬底，所述衬底分为存储器衬底区和晶体管衬底区，在所述存储器衬底区上形成多个浮栅，在所述晶体管区衬底上形成多个栅极，在所述多个浮栅、栅极表面以及多个浮栅之间保形覆盖绝缘层；在所述绝缘层上形成原位掺杂的第一多晶硅层，所述第一多晶硅层填充满浮栅之间的间隙，去除多个栅极表面的第一多晶硅层以及绝缘层，在所述第一多晶硅层以及多个栅极表面形成本征的第二多晶硅层。在所述绝缘层上形成原位掺杂的第一多晶硅层的过程中，原位掺杂的第一多晶硅层具有较好的阶梯覆盖能力，可以降低形成孔洞的概率，而本征的第二多晶硅层作为晶体管的栅极引线，对晶体管的性能不会产生影响。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种存储器的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底分为存储器衬底区和晶体管衬底区，在所述存储器衬底区上形成多个浮栅，在所述晶体管区衬底上形成多个栅极，形成保形覆盖所述浮栅、栅极的绝缘层；在所述绝缘层上形成原位掺杂的第一多晶硅层，所述第一多晶硅层填充满浮栅之间的间隙；去除所述多个栅极表面的第一多晶硅层以及绝缘层；在剩余的所述第一多晶硅层以及多个栅极上形成本征的第二多晶硅层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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