[发明专利]增强NOR型FLASH可靠性的方法有效
| 申请号： | 201310745626.0 | 申请日： | 2013-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN104751893B | 公开（公告）日： | 2018-09-07 |
| 发明（设计）人： | 胡洪;洪杰;王林凯;苏如伟;舒清明 | 申请（专利权）人： | 北京兆易创新科技股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/34 | 分类号： | G11C16/34 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 胡彬 |
| 地址： | 100083 北京市海淀*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及FLASH技术领域，尤其涉及一种增强NOR型FLASH可靠性的方法；其中所述方法包括：FLASH上电复位过程中，记录FLASH存储阵列中数据为0的存储单元；当所述数据为0存储单元的阈值电压小于预定阈值时，记录所述存储单元的地址信息；在FLASH上电复位过程中，对所述地址信息对应的存储单元进行增强操作；所述增强操作为增强存储单元的阈值电压。本发明技术方案的采用，保证了NOR型FLASH中数据为0存储单元阈值电压的稳定性，进而提高了数据读取的准确性，减少了误读，提升了NOR型FLASH的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 增强 nor flash 可靠性 方法 | ||
【主权项】：
1.一种增强NOR型FALSH可靠性的方法，其特征在于，包括：FLASH上电复位过程中，记录FLASH存储阵列中数据为0的存储单元；预先对参考存储单元设定预定阈值，当对数据为0的存储单元的读取电流大于所述参考存储单元的读取电流时，则数据为0的存储单元的阈值电压小于预定阈值；当所述数据为0存储单元的阈值电压小于预定阈值时，记录所述存储单元的地址信息；在FLASH上电复位过程中，对所述地址信息对应的存储单元进行增强操作；所述增强操作为增强存储单元的阈值电压。
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