[发明专利]一种超结功率器件版图结构及制作方法

摘要

本发明涉及一种超结功率器件版图结构及制作方法。现有技术中的大电流即芯片面积较大的情况下，元胞开启状况不一致导致元胞电流分布不均匀。一种超结功率器件版图结构，包括有源区、终端区、栅极压焊点、源极压焊点和栅极总线，其特征在于：第二栅极总线位于栅极压焊点和有源区之间，第二栅极总线上均匀间隔设置有多个接触孔；超结功率器件版图结构的制作方法，在第一栅极总线、第二栅极总线和第三栅极总线上淀积一层介质层；然后再介层上形成接触孔；在第一栅极总线、第二栅极总线和第三栅极总线的介质层上形成一层金属，通过接触孔将栅极与栅极压焊点连接起来。本发明能够缓解多晶硅电阻率不一致的情况，从而提高了器件的可靠性。

主权项

一种超结功率器件版图结构，包括有源区（1）、终端区（2）、栅极压焊点（3）、源极压焊点（4）和栅极总线，所述终端区（2）位于有源区（1）外围，所述栅极压焊点（3）、源极压焊点（4）位于有源区（1）中，所述栅极总线包括第一栅极总线（8）、第二栅极总线（9）和第三栅极总线（5），第一栅极总线（8）位于有源区（1）的中间，第三栅极总线（5）位于有源区（1）和终端区（2）之间，其特征在于：所述第二栅极总线（9）位于栅极压焊点（3）和有源区（1）之间，第二栅极总线（9）上均匀间隔设置有多个接触孔（6）。