[发明专利]用于判定GOX击穿失效的样品制备方法

摘要

本发明提供的用于判定GOX击穿失效的样品制备方法，其在对隔绝氧化层进行机械研磨后使用BOE溶液腐蚀去除多晶硅层上剩余隔绝氧化层，降低了研磨处理伤害样品的风险，提高了样品处理的成功率；使得多晶硅层厚度均匀，便于后续步骤的控制；可以实现剩余隔离氧化层的完全去除，使得多晶硅层表面无氧化物残留，保证了样品的洁净度，使得SEM观察无干扰。同时采用新型高腐蚀选择比的碱性溶液腐蚀去除多晶硅层，由于腐蚀选择比高，腐蚀时间延长，使得腐蚀过程易于控制，最终可以呈现一个均匀、完整、洁净的GOX用于SEM进行全方位观察，大幅提高了击穿点观测的成功率和精确度。

主权项

用于判定GOX击穿失效的样品制备方法，其特征在于，包括以下步骤：1)提供一需要分析测试的样品，所述样品包括衬底、位于所述衬底内的有源区、位于所述衬底内、有源区两侧的浅沟槽隔离区、位于所述有源区上的GOX、位于所述GOX上的多晶硅层、位于所述多晶硅层及衬底上的隔绝氧化层；2)将所述样品进行研磨以去除隔绝氧化层，研磨至露出一定面积的多晶硅层为止；3)使用BOE溶液腐蚀去除所述多晶硅层上剩余的隔绝氧化层；4)使用高腐蚀选择比的溶剂腐蚀去除所述多晶硅层；5)将步骤4）之后得到的样品进行SEM观察，根据在所述所述多晶硅层下是否形成矩形小坑判断是否有击穿点。