[发明专利]一种基于MoO3/Ag阳极的有机太阳能电池及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201310729340.3 申请日: 2013-12-20
公开(公告)号: CN103715356B 公开(公告)日: 2017-01-04
发明(设计)人: 张春福;王之哲;陈大正;陆小力;郝跃;魏炜;高汭;孙丽 申请(专利权)人: 西安电子科技大学
主分类号: H01L51/42 分类号: H01L51/42;H01L51/46;H01L51/44;H01L51/48
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 710071*** 国省代码: 台湾;71
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摘要: 发明公开了一种基于MoO3/Ag阳极的有机太阳能电池及其制备方法,所述基于MoO3/Ag阳极的有机太阳能电池自下而上依次包括厚度为1mm的玻璃衬底,厚度为2‑10nm的MoO3中间层和厚度为7‑13nm的Ag层,厚度为10nm的MoO3空穴传输层,厚度为80‑100nm的P3HT∶PCBM有效层,厚度为100nm的Al阴极层。本发明的基于MoO3/Ag阳极的有机太阳能电池充分利用了Ag本征的柔韧性和高电导率,使得电极能适用于柔性衬底,进而应用到有机太阳能电池卷对卷大规模生产中去;同时MoO3中间层的引入,能够促进Ag膜的横向生长和降低所需要Ag层的厚度,进一步减少电极成本。
搜索关键词: 一种 基于 moo3 ag 阳极 有机 太阳能电池 及其 制备 方法
【主权项】:
一种基于MoO3/Ag阳极的有机太阳能电池,其特征在于:自下而上依次包括厚度为1mm的玻璃衬底,厚度为2‑10nm的MoO3中间层和厚度为7‑13nm的Ag层,厚度为10nm的MoO3空穴传输层,厚度为80‑100nm的P3HT:PCBM有效层,厚度为100nm的Al阴极层。
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