[发明专利]一种基于MoO3/Ag阳极的有机太阳能电池及其制备方法有效
申请号: | 201310729340.3 | 申请日: | 2013-12-20 |
公开(公告)号: | CN103715356B | 公开(公告)日: | 2017-01-04 |
发明(设计)人: | 张春福;王之哲;陈大正;陆小力;郝跃;魏炜;高汭;孙丽 | 申请(专利权)人: | 西安电子科技大学 |
主分类号: | H01L51/42 | 分类号: | H01L51/42;H01L51/46;H01L51/44;H01L51/48 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 710071*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | 本发明公开了一种基于MoO3/Ag阳极的有机太阳能电池及其制备方法,所述基于MoO3/Ag阳极的有机太阳能电池自下而上依次包括厚度为1mm的玻璃衬底,厚度为2‑10nm的MoO3中间层和厚度为7‑13nm的Ag层,厚度为10nm的MoO3空穴传输层,厚度为80‑100nm的P3HT∶PCBM有效层,厚度为100nm的Al阴极层。本发明的基于MoO3/Ag阳极的有机太阳能电池充分利用了Ag本征的柔韧性和高电导率,使得电极能适用于柔性衬底,进而应用到有机太阳能电池卷对卷大规模生产中去;同时MoO3中间层的引入,能够促进Ag膜的横向生长和降低所需要Ag层的厚度,进一步减少电极成本。 | ||
搜索关键词: | 一种 基于 moo3 ag 阳极 有机 太阳能电池 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种基于MoO3/Ag阳极的有机太阳能电池,其特征在于:自下而上依次包括厚度为1mm的玻璃衬底,厚度为2‑10nm的MoO3中间层和厚度为7‑13nm的Ag层,厚度为10nm的MoO3空穴传输层,厚度为80‑100nm的P3HT:PCBM有效层,厚度为100nm的Al阴极层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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