[发明专利]一种AlGaN基垂直结构深紫外LED的制造方法

摘要

一种AlGaN基垂直结构深紫外LED的制造方法，其特征是步骤如下：在生长衬底1上生长h-BN层2；在h-BN层2上生长过渡层3；在过渡层3上生长非掺杂AlGaN层4；在非掺杂AlGaN层4上生长n-AlGaN层5；在n-AlGaN层5上生长多量子阱AlGaN/AlGaN层6；在多量子阱AlGaN/AlGaN层6上生长宽带隙p-AlGaN层7；在宽带隙p-AlGaN层7上生长p-AlGaN层8；在p-AlGaN层8上生长高空穴浓度p-GaN层9；在高空穴浓度的p-GaN层9上制作欧姆接触层10；由1~10组成的p面欧姆接触的外延片与导电衬底11相结合；转移衬底1，并去除h-BN层2、过渡层3及非掺杂AlGaN层4；在n-AlGaN层5上制作n电极12。本发明提供了一种稳定性好，操作简单，成本低廉的机械转移衬底方法，具有操作简单、速度快、成本低廉、剥离损伤小，速度快等优点。

主权项

一种AlGaN基垂直结构深紫外LED的制造方法，其特征是步骤如下：1）在生长衬底(1)上生长h‑BN层(2)；2）在h‑BN层(2)上生长过渡层(3)；3）在过渡层(3)上生长非掺杂AlGaN层(4)；4）在非掺杂AlGaN层(4)上生长n‑AlGaN层(5)；5）在n‑AlGaN层(5)上生长多量子阱AlGaN/AlGaN层(6)；6）在多量子阱AlGaN/AlGaN层(6)上生长宽带隙p‑AlGaN层(7)；7）在宽带隙p‑AlGaN层(7)上生长p‑AlGaN层(8)；8）在p‑AlGaN层(8)上生长高空穴浓度p‑GaN层(9)；9）在高空穴浓度的p‑GaN层(9)上制作欧姆接触层(10)；10）由(1)~(10)组成的p面欧姆接触的外延片与导电衬底(11)相结合；11）转移衬底(1)，并去除h‑BN层(2)、过渡层(3)及非掺杂AlGaN层(4)；12）在n‑AlGaN层(5)上制作n电极(12)。