[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法、阵列基板、显示装置有效
| 申请号： | 201310728554.9 | 申请日： | 2013-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN103730511A | 公开（公告）日： | 2014-04-16 |
| 发明（设计）人： | 崔承镇;金熙哲;宋泳锡;刘聖烈 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/34;H01L27/12 |
| 代理公司： | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人： | 申健 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明实施例公开了一种薄膜晶体管及其制造方法、阵列基板、显示装置，属于显示技术领域。解决了现有的薄膜晶体管中的Cgs和Cgd较大的技术问题。该薄膜晶体管形成于衬底基板上，包括栅极、有源层、源极和漏极，栅极包括第一部分、第二部分和第三部分，第一部分和第三部分分别位于第二部分的两侧，第一部分与源极的位置相对应，第三部分与漏极的位置相对应；衬底基板上形成有两个凹陷，第一部分和第三部分分别位于两个凹陷中；第一部分和第三部分上方覆盖有填充层；填充层和第二部分上方覆盖有栅绝缘层；有源层设置于栅绝缘层上；源极和漏极位于有源层上方，且均与有源层相连。本发明可应用于液晶电视、手机、平板电脑等显示装置。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 及其 制造 方法 阵列 显示装置 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管，包括栅极、有源层、源极和漏极，且所述薄膜晶体管形成于衬底基板上，其特征在于：所述栅极包括第一部分、第二部分和第三部分，所述第一部分和所述第三部分分别位于所述第二部分的两侧，所述第一部分与所述源极的位置相对应，所述第三部分与所述漏极的位置相对应；所述衬底基板上形成有两个凹陷，所述第一部分和所述第三部分分别位于所述两个凹陷中；所述第一部分和所述第三部分上方覆盖有填充层；所述填充层和所述第二部分上方覆盖有栅绝缘层；所述有源层设置于所述栅绝缘层上；所述源极和所述漏极位于所述有源层上方，且均与所述有源层相连。
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