[发明专利]功率半导体器件在审
| 申请号： | 201310722649.X | 申请日： | 2013-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN104465733A | 公开（公告）日： | 2015-03-25 |
| 发明（设计）人： | 张昌洙;严基宙;宋寅赫;朴在勋;徐东秀 | 申请（专利权）人： | 三星电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 韩芳;薛义丹 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供了一种功率半导体器件，所述功率半导体器件包括：第一导电类型的第一半导体层，具有厚度t1，以耐受600V的反向电压；以及第二导电类型的第二半导体层，形成在第一半导体层的上部中并具有厚度t2，其中，t1/t2为15至18。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种功率半导体器件，所述功率半导体器件包括：第一导电类型的第一半导体层，具有厚度t1，以耐受600V的反向电压；以及第二导电类型的第二半导体层，形成在第一半导体层的上部中并具有厚度t2，其中，t1/t2为15至18。
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