[发明专利]鳍式场效应晶体管的钝化和晶面形成有效
| 申请号： | 201310719773.0 | 申请日： | 2013-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN104576733B | 公开（公告）日： | 2019-09-24 |
| 发明（设计）人： | 陈彦友;施啟元;刘继文 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种鳍式场效应晶体管（FinFET）及其形成方法。FinFET具有鳍部，鳍部具有在衬底上外延生长的一个或多个半导体层。在鳍部上方形成第一钝化层，并且在鳍部之间形成隔离区。对鳍部的上部进行重塑，并且在重塑后的部分上方形成第二钝化层。此后，可以在鳍部上方形成栅结构，并且可以形成源极/漏极区。 | ||
| 搜索关键词： | 场效应 晶体管 钝化 形成 | ||
【主权项】：
1.一种鳍式场效应晶体管(FinFET)，包括：衬底；鳍结构，从所述衬底凸出，所述鳍结构包括一个或多个半导体层，每个所述半导体层的晶格常数都不同于邻接的下层相应的晶格常数；隔离区，由单一材料形成，与所述鳍结构的相对侧壁邻近，所述鳍结构具有在所述隔离区之上延伸的上部，所述上部具有倾斜侧壁；第一钝化层，介于所述鳍结构和所述隔离区之间，所述第一钝化层与所述隔离区直接接触；第二钝化层，设置于所述鳍结构的所述上部的上方但不设置在所述隔离区的顶面上方，所述第二钝化层的材料不同于所述第一钝化层的材料；以及栅极结构，覆盖所述鳍结构的所述上部。
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