[发明专利]一种低辐射玻璃的制作方法

摘要

本发明公开了一种低辐射玻璃的制作方法,其特征在于包括以下步骤：A、交流中频电源溅射陶瓷钛靶，在玻璃基板上磁控溅射TiO₂介质层；B、直流电源溅射铬平面靶，在TiO₂介质层上磁控溅射CrNx阻挡层；C、交流电源溅射掺铝氧化锌陶瓷旋转靶，在TiO₂介质层上磁控溅射AZO平整层；D、直流电源溅射银平面靶，在AZO平整层上磁控溅射Ag功能层；E、直流电源溅射，在Ag功能层上磁控溅射(NiCr)xOy层；F、交流中频电源溅射锡靶，在(NiCr)xOy层上磁控溅射SnO₂保护层；G、直流电流溅射石墨靶，在步SnO₂保护层上磁控溅射C层。本发明的目的提供一种工艺简单，操作方便，生产成本相对较低的低辐射玻璃的制作方法。

主权项

一种低辐射玻璃的制作方法,其特征在于包括以下步骤：A、采用氩气作为反应气体，交流中频电源溅射陶瓷钛靶，在玻璃基板上磁控溅射TiO₂介质层；B、采用氮气作为反应气体，氩气作为保护气体，直流电源溅射铬平面靶，在步骤A中TiO₂介质层上磁控溅射CrNx阻挡层；C、采用氩气作为反应气体，交流电源溅射掺铝氧化锌陶瓷旋转靶，在步骤B中的TiO₂介质层上磁控溅射AZO平整层；D、采用氩气作为反应气体，直流电源溅射银平面靶，在步骤C中AZO平整层上磁控溅射Ag功能层；E、采用氮气作为反应气体，渗少量氧气，直流电源溅射，在步骤D中的Ag功能层上磁控溅射(NiCr)xOy层；F、采用氧气作为反应气体，交流中频电源溅射锡靶，在步骤E中的(NiCr)xOy层上磁控溅射SnO₂保护层；G、直流电流溅射石墨靶，在步骤F中的SnO₂保护层上磁控溅射C层。