[发明专利]一种N型背结太阳能电池的制备方法有效
申请号: | 201310716937.4 | 申请日: | 2013-12-23 |
公开(公告)号: | CN103681971A | 公开(公告)日: | 2014-03-26 |
发明(设计)人: | 刘运宇;吴坚;王栩生;章灵军 | 申请(专利权)人: | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人: | 胡彬 |
地址: | 215011 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种N型背结太阳能电池的制备方法,所述方法包括:对N型单晶的硅片的受光面进行离子注入;对离子注入后的硅片进行高温氧化激活;对高温氧化激活后的硅片的背光面进行硼扩散;在硅片的背光面形成钝化层,在硅片的受光面形成减反膜;形成太阳能电池的电极。本发明能够提高太阳能电池的光电转换效率。 | ||
搜索关键词: | 一种 型背结 太阳能电池 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种N型背结太阳能电池的制备方法,其特征在于,包括:对N型单晶的硅片的受光面进行离子注入;对离子注入后的硅片进行高温氧化激活;对高温氧化激活后的硅片的背光面进行硼扩散;在硅片的背光面形成钝化层,在硅片的受光面形成减反膜;形成太阳能电池的电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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