[发明专利]硅片背面工艺方法在审
| 申请号： | 201310714672.4 | 申请日： | 2013-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN104733293A | 公开（公告）日： | 2015-06-24 |
| 发明（设计）人： | 童宇锋;胡荣星;郭晓波 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/268 | 分类号： | H01L21/268 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种硅片背面工艺方法，该方法在硅片减薄完成后，进行离子注入前，对硅片进行高能激光退火，减弱或消除硅片表面的坑槽。本发明通过在背面工艺流程中增加一步高能激光退火步骤，大幅减弱甚至消除了因硅片减薄而产生的坑槽现象，提高了硅片表面的平整度，从而保证了后续离子注入的均一性和稳定性，以及背面增金的良好吸附效果，并进而保证了薄片产品最终的稳定性和均匀性。 | ||
| 搜索关键词： | 硅片 背面 工艺 方法 | ||
【主权项】：
硅片背面工艺方法，其特征在于，在硅片减薄完成后，进行离子注入前，对硅片进行高能激光退火，减弱或消除硅片表面的坑槽。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
