[发明专利]栅极的形成方法

摘要

一种栅极的形成方法，包括：在衬底上形成多晶硅层，在多晶硅层上形成具有对应栅极形状的条状图形的硬掩模层，在所述硬掩模层上依次形成有机抗蚀剂层以及有机抗反射材料层，对所述有机抗反射材料层进行第一刻蚀，形成开口，对所述开口露出的有机抗蚀剂层进行第二刻蚀使所述开口露出条状图形。在第二刻蚀过程中，依次进行采用包括甲烷的混合气体的第一干法刻蚀和第二干法刻蚀，其中第一干法刻蚀由于采用了甲烷作为刻蚀气体，第一干法刻蚀对有机抗反射材料层的侧向刻蚀很少，减轻了开口尺寸增大的问题，再对开口下的硬掩模层进行刻蚀，使得最终形成的断开的条状的栅极的对接方向的间距与设计值相比增大量很小。

主权项

一种栅极的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底；在衬底上形成多晶硅层；在多晶硅层上形成硬掩模层，所述硬掩模层具有对应栅极形状的多个条状图形；在所述硬掩模层上依次形成有机抗蚀剂层以及有机抗反射材料层；对所述有机抗反射材料层进行第一刻蚀，在有机抗反射材料层中形成露出所述有机抗蚀剂层的开口，所述开口横跨硬掩模层中的至少一个条状图形；对所述开口露出的有机抗蚀剂层进行第二刻蚀，去除所述开口下方的有机抗蚀剂层，直至露出条状图形的顶部；所述第二刻蚀包括依次进行的第一干法刻蚀、第二干法刻蚀，所述第一干法刻蚀采用包括甲烷的混合气体；去除所述开口露出的硬掩模层，使所述条状图形断开，以形成硬掩模图形；以所述硬掩模图形为掩模，图形化所述多晶硅层，去除硬掩模图形露出的多晶硅层部分同时保留硬掩模图形下方的多晶硅层部分，以形成栅极。