[发明专利]激光退火扫描方法在审
| 申请号： | 201310712270.0 | 申请日： | 2013-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN104733282A | 公开（公告）日： | 2015-06-24 |
| 发明（设计）人： | 童宇锋;胡荣星 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/268 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种激光退火扫描方法，步骤包括：1）在退火前，模拟计算出在当前激光退火能量条件下，热量传导所需要的时间，以该时间作为标准时间；2）设计退火扫描路径，使任意区域被重复扫描的时间间隔超过标准时间；3）按照步骤2）设计的退火扫描路径进行退火。本发明通过改进激光退火的扫描方式，改善了硅片边缘区域的热累积效应，消除了由于边缘热累积效应而导致的硅片边缘和硅片中心区域的离子激活率差异，从而改善了硅片内激活离子和产品性能的均一性。 | ||
| 搜索关键词： | 激光 退火 扫描 方法 | ||
【主权项】：
激光退火扫描方法，其特征在于，步骤包括：1）在退火前，模拟计算出在当前激光退火能量条件下，热量传导所需要的时间，以该时间作为标准时间；2）设计退火扫描路径，使任意区域被重复扫描的时间间隔超过标准时间；3）按照步骤2）设计的退火扫描路径进行退火。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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