[发明专利]参考单电源的信号IO保护装置及其形成方法

摘要

本发明提供了参考单电源的信号IO保护装置。在具体实施方式中，保护装置包括第一硅控整流器(SCR)和第一二极管，用于在信号节点和诸如电源低网络或电源高网络之类的电源网络之间提供保护。SCR和二极管结构集成在公共电路布局中，以便在结构之间共用具体阱和有源区域。在其它实施方式中，保护装置包括第一和第二SCR，用于在信号节点和电源低网络之间或信号节点和电源高网络之间提供保护，SCR结构集成在公共电路布局中。保护装置适合于亚3V操作下对单个电源的单个单元数据转换接口保护。

主权项

一种设备，包括：衬底；衬底中的第一n型半导体区域；衬底中的第一p型半导体区域；衬底中的第二n型半导体区域，其中第一p型半导体区域布置在第一和第二n型半导体区域之间；衬底中的第二p型半导体区域，其中第二n型半导体区域布置在第一和第二p型半导体区域之间；第一n型半导体区域中的第一p型扩散区域；第一p型半导体区域中的第一n型扩散区域，其中第一n型扩散区域被电连接至第一节点；第二p型半导体区域中的第二n型扩散区域，其中第一p型扩散区域and第二n型扩散区域被电连接至第二节点；深n型区域，其处于第一n型半导体区域的至少一部分、第一p型半导体区域、第二n型半导体区域和第二p型半导体区域的下方；以及处于第一p型扩散区域和第一n型扩散区域之间的栅极区域或抗保护氧化物(RPO)区域中的至少一个，其中第一p型扩散区域、第一n型半导体区域、第一p型半导体区域和第一n型扩散区域被配置成操作作为第二节点和第一节点之间的第一电路径中的第一硅控整流器(SCR)。