[发明专利]一种场限环-负斜角复合终端结构

摘要

本发明公开了一种场限环-负斜角复合终端结构，将芯片的中央区域作为有源区，将有源区外围区域作为终端区，有源区和终端区共同的n^-衬底下方设置有n型FS层，在n型FS层下方设置有p⁺阳极区及阳极；有源区中，n^-基区中设置有多个并联的单元，每个单元内与n^-基区相邻的是波状p基区，p基区上面为p⁺基区，p⁺基区中央设置有一个阴极n⁺发射区，每个n⁺发射区上方设有阴极；p⁺基区上方设有门极，并且整个门极环绕在所包围的阴极n⁺发射区的周围；在终端区的n^-衬底内，在主结外侧设了至少一个p型场限环，并在场限环上面有一个负斜角，斜面上覆有钝化层。本发明的场限环-负斜角复合终端结构具有更好的高温稳定性。

主权项

一种场限环‑负斜角复合终端结构，其特征在于：将芯片的中央区域作为有源区，将有源区外围区域作为终端区，有源区和终端区共同的n^‑衬底下方设置有n型FS层，在n型FS层下方设置有p⁺阳极区及其阳极；在有源区中，n^‑基区中设置有多个并联的单元，每个单元内与n^‑基区相邻的是波状p基区，p基区上面为p⁺基区，p⁺基区中央设置有一个阴极n⁺发射区，每个n⁺发射区上方设置有阴极；p⁺基区上方设置有门极，并且整个门极环绕在所包围的阴极n⁺发射区的周围；在终端区的n^‑衬底内，在主结外侧设置了至少一个p型场限环，并且在场限环上面有一个负斜角，使得终端区上表面为斜面，斜面上覆有钝化层。