[发明专利]一种场限环-负斜角复合终端结构

权利要求书

1.一种场限环-负斜角复合终端结构，其特征在于：

将芯片的中央区域作为有源区，将有源区外围区域作为终端区，有源区和终端区共同的n^-衬底下方设置有n型FS层，在n型FS层下方设置有p⁺阳极区及其阳极；

在有源区中，n^-基区中设置有多个并联的单元，每个单元内与n^-基区相邻的是波状p基区，p基区上面为p⁺基区，p⁺基区中央设置有一个阴极n⁺发射区，每个n⁺发射区上方设置有阴极；p⁺基区上方设置有门极，并且整个门极环绕在所包围的阴极n⁺发射区的周围；

在终端区的n^-衬底内，在主结外侧设置了至少一个p型场限环，并且在场限环上面有一个负斜角，使得终端区上表面为斜面，斜面上覆有钝化层。

2.根据权利要求1所述的场限环-负斜角复合终端结构，其特征在于：终端区有一级或两级场限环，主结与第一级场限环的间距s₁为260～350μm，第一级场限环与第二级场限环的间距s₂为130～145μm。

3.根据权利要求1所述的场限环-负斜角复合终端结构，其特征在于：终端区的场限环上方有一负斜角，所述负斜角的角度为2.5°～3.5°。

4.根据权利要求1所述的场限环-负斜角复合终端结构，其特征在于：所述的钝化层为聚酰亚胺或硅胶。