[发明专利]一种GaN基LED外延片及其制备方法在审
| 申请号： | 201310690576.0 | 申请日： | 2013-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN104716237A | 公开（公告）日： | 2015-06-17 |
| 发明（设计）人： | 吴明驰 | 申请（专利权）人： | 比亚迪股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/04 | 分类号： | H01L33/04;H01L33/00 |
| 代理公司： | 无 | 代理人： | 无 |
| 地址： | 518118 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种GaN基LED外延片，包括：衬底；形成在所述衬底上的缓冲层；形成在所述缓冲层上的N型GaN层；形成在所述N型GaN层上的发光层；形成在所述发光层上的P型GaN层；形成在所述P型GaN层上的第一超晶格接触层，所述第一超晶格接触层为InGaN/AlGaN超晶格结构。该GaN基LED外延片可降低P型GaN层的欧姆接触电阻，从而降低了LED芯片的电压。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 gan led 外延 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种GaN基LED外延片，其特征在于，包括：衬底；形成在所述衬底上的缓冲层；形成在所述缓冲层上的N型GaN层；形成在所述N型GaN层上的发光层；形成在所述发光层上的P型GaN层；形成在所述P型GaN 层上的第一超晶格接触层，所述第一超晶格接触层为InGaN/AlGaN超晶格结构。
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