[发明专利]一种稀土永磁体及其制造方法有效
申请号: | 201310688864.2 | 申请日: | 2013-12-16 |
公开(公告)号: | CN104715877B | 公开(公告)日: | 2019-08-27 |
发明(设计)人: | 钮萼;陈治安;陈国安;李正;赵玉刚;饶晓雷;胡伯平 | 申请(专利权)人: | 北京中科三环高技术股份有限公司 |
主分类号: | H01F1/057 | 分类号: | H01F1/057;H01F41/02 |
代理公司: | 北京航忱知识产权代理事务所(普通合伙) 11377 | 代理人: | 陈立航;郭红燕 |
地址: | 100190 北京市海淀区中*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明提供一种稀土永磁体及其制造方法。所述稀土永磁体上垂直于取向方向的表面的面积与除所述垂直于取向方向的表面之外的其他表面的面积之比大于等于0.5,所述磁体扩散有镝、铽或钬中的至少一种元素。利用本发明提供的制造方法,实现了在不影响磁体耐蚀性的基础上,使磁体获得高的矫顽力和理想的退磁曲线方形度。 | ||
搜索关键词: | 一种 稀土 永磁体 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种稀土永磁体,由合金R1a‑T1‑B和合金R1b‑T2‑M1‑B制得,所述合金R1a‑T1‑B中含有原子百分比为8.0~15%的R1a、原子百分比为5.1~7.5%的B和余量的T1,其中R1a是钕元素和选自包括钇和钪在内的稀土元素中的至少一种,B是硼元素,T1是铁元素或铁和钴两种元素,所述合金R1b‑T2‑M1‑B中含有原子百分比为10~25%的R1b、原子百分比为5.1~7.5%的B、原子百分比为0~7%的M1和余量的T2,其中R1b是选自包括钇和钪在内的稀土元素中的至少一种,M1是选自铝、铜、锌、镓、铟、锗和锡中的至少一种元素,T2是铁元素、钴元素或铁和钴两种元素,所述合金R1a‑T1‑B比例为60~85%,其余为所述合金R1b‑T2‑M1‑B,所述磁体上垂直于取向方向的表面的面积与除所述垂直于取向方向的表面之外的其他表面的面积之比大于等于0.5,镝、铽或钬中的至少一种元素,通过晶界扩散由所述磁体的表面扩散进入所述磁体的内部。
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