[发明专利]等离子体处理腔室、气体喷淋头及其制造方法有效
| 申请号： | 201310688060.2 | 申请日： | 2013-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN104715993B | 公开（公告）日： | 2017-02-22 |
| 发明（设计）人： | 贺小明;徐朝阳;彭帆 | 申请（专利权）人： | 中微半导体设备（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32;H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司31002 | 代理人： | 王洁 |
| 地址： | 201201 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了等离子体处理腔室、气体喷淋头及其制造方法，所述气体喷淋头是一体成型的，其中设置有若干个一次加工完成的气体通孔，所述气体喷淋头外壁以及气体通孔内壁覆盖有一层第一抗腐蚀层。本发明提供的等离子体处理腔室、气体喷淋头及其制造方法工序简单、制造成本低。气体喷淋头结构更加稳定可靠，并且抗腐蚀层无空隙且更稠密，不会开裂。本发明提供的等离子体处理腔室中基片制程更加稳定。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 处理 气体 喷淋 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种用于等离子体处理腔室的气体喷淋头，其特征在于，所述气体喷淋头是一体成型的，其中设置有若干个一次加工完成的气体通孔，所述气体喷淋头外壁以及气体通孔内壁覆盖有一层第一抗腐蚀层；所述气体喷淋头侧壁以及曝露于等离子体的下表面上的第一抗腐蚀层上，覆盖有一层第二抗腐蚀层。
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