[发明专利]一种晶体的抛光方法在审
| 申请号： | 201310687943.1 | 申请日： | 2013-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN103639850A | 公开（公告）日： | 2014-03-19 |
| 发明（设计）人： | 刘向力;罗政纯;鲁运朋 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨工业大学深圳研究生院 |
| 主分类号： | B24B1/00 | 分类号： | B24B1/00 |
| 代理公司： | 深圳市科吉华烽知识产权事务所(普通合伙) 44248 | 代理人： | 张立娟 |
| 地址： | 518000 广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种晶体的抛光方法，包括如下步骤：步骤一，准备好晶片，对晶片进行常规抛光处理；步骤二，将抛光好的晶片清洗；步骤三，将清洗后的晶片置于居里温度以下10℃至20℃的保温箱中，保存0.5h至3h后，晶片随箱空冷（在空气氛围中自然冷却）至室温取出。现准备已经通过本方法抛光的LiNbO3、LiTaO3晶片，通过高倍显微镜和SEM（扫描电子显微镜）的观察发现，LiNbO3、LiTaO3晶片表面的缺陷显著减少，进一步的光学验证结果表明，本方法抛光后的LiNbO3、LiTaO3晶片性能分别有5%-12%的提升，作为精密光学器件，即使是细微的变化也会产生巨大的改变，显然5%-12%的性能加成意义是重大的。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 晶体 抛光 方法 | ||
【主权项】：
一种晶体的抛光方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一，准备好晶片，对晶片进行常规抛光处理；步骤二，将抛光好的晶片清洗；步骤三，将清洗后的晶片置于居里温度以下10℃至20℃的保温箱中，保存0.5h至3h后，晶片随箱空冷至室温取出。
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