[发明专利]一种晶体的抛光方法在审
| 申请号： | 201310687943.1 | 申请日： | 2013-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN103639850A | 公开（公告）日： | 2014-03-19 |
| 发明（设计）人： | 刘向力;罗政纯;鲁运朋 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨工业大学深圳研究生院 |
| 主分类号： | B24B1/00 | 分类号： | B24B1/00 |
| 代理公司： | 深圳市科吉华烽知识产权事务所(普通合伙) 44248 | 代理人： | 张立娟 |
| 地址： | 518000 广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 晶体 抛光 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种晶体的抛光方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤一，准备好晶片，对晶片进行常规抛光处理；
步骤二，将抛光好的晶片清洗；
步骤三，将清洗后的晶片置于居里温度以下10℃至20℃的保温箱中，保存0.5h至3h后，晶片随箱空冷至室温取出。
2.根据权利要求1所述的一种晶体的抛光方法，其特征在于：步骤一中对晶片进行化学机械抛光处理。
3.根据权利要求1所述的一种晶体的抛光方法，其特征在于：步骤二中将抛光好的晶片用去离子水清洗。
4.根据权利要求1所述的一种晶体的抛光方法，其特征在于：清洗后的晶片置于居里温度以下12℃至18℃的保温箱中。
5.根据权利要求1所述的一种晶体的抛光方法，其特征在于：保温箱中，保存1h至2h后，晶片随箱空冷至室温取出。
6.根据权利要求1所述的一种晶体的抛光方法，其特征在于：晶片尺寸为20±4mm×20±4mm×4±1mm。
7.根据权利要求6所述的一种晶体的抛光方法，其特征在于：晶片尺寸为20±2mm×20±2mm×4±0.5mm。
8.根据权利要求1所述的一种晶体的抛光方法，其特征在于：晶片尺寸为20mm×20mm×4mm。
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