[发明专利]一种制作硅基异质结电池片时边缘绝缘的方法

摘要

本发明公开了一种制作硅基异质结电池片时边缘绝缘的方法，包括：提供正面已沉积P-型非晶硅薄膜层，反面已沉积N-型非晶硅薄膜层的硅片；在所述硅片正反两面上沉积导电透明氧化物层；在所述导电透明氧化物层上沉积阻挡层；在所述阻挡层上沉积种子层，其中导电透明氧化物层、阻挡层、种子层均绕镀到硅片的四周切面；在所述种子层外包覆上光阻材料层，其中光阻材料层包覆到硅片四周切面；将光阻材料层包覆到硅片四周切面的部分掩膜，正反两面进行曝光显影；刻蚀掉包覆到硅片四周切面的部分的光阻材料层；刻蚀掉绕镀到硅片四周切面的种子层、阻挡层和导电透明氧化物层；刻蚀掉正反两面的光阻材料层。本发明在于实现制作硅基异质结电池片时边缘绝缘。

主权项

一种制作硅基异质结电池片时边缘绝缘的方法，其特征在于，包括：提供正面已沉积P‑型非晶硅薄膜层，反面已沉积N‑型非晶硅薄膜层的硅片；在所述硅片正反两面上沉积导电透明氧化物层；在所述导电透明氧化物层上沉积阻挡层；在所述阻挡层上沉积种子层，其中导电透明氧化物层、阻挡层、种子层均绕镀到硅片的四周切面；在所述种子层外包覆上光阻材料层，其中光阻材料层包覆到硅片四周切面；将光阻材料层包覆到硅片四周切面的部分掩膜，正反两面进行曝光显影；刻蚀掉包覆到硅片四周切面的部分的光阻材料层；刻蚀掉绕镀到硅片四周切面的种子层、阻挡层和导电透明氧化物层；刻蚀掉正反两面的光阻材料层。