[发明专利]电阻式存储器装置及其写入方法有效
| 申请号： | 201310665231.X | 申请日： | 2013-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN104700891B | 公开（公告）日： | 2019-01-08 |
| 发明（设计）人： | 侯拓宏;徐崇威;陈玫瑾 | 申请（专利权）人： | 华邦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/02 | 分类号： | G11C16/02;G11C16/06 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 张然;李昕巍 |
| 地址： | 中国台湾台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种电阻式存储器装置及其写入方法，其中，电阻式存储器装置包括存储单元阵列以及存储器控制器。存储器控制器在设定期间及重置期间的其一提供未连接至选中电阻式存储单元的未选中位元线第一位元线电压及未选中字线第一字线电压，其中，第一位元线电压等于写入电压VW乘以(n‑1)/n，第一字线电压等于VW×1/n。存储器控制器在设定期间及重置期间的另一提供未连接至选中电阻式存储单元的未选中位元线第二位元线电压，并提供未连接至该选中电阻式存储单元的未选中字线第二字线电压，其中，第二位元线电压等于VW×1/n，第二字线电压等于VW×(n‑1)/n。 | ||
| 搜索关键词： | 字线电压 选中 线电压 位元 电阻式存储器装置 电阻式存储单元 存储器控制器 未连接 未选中字线 重置期间 位元线 写入 存储单元阵列 写入电压 | ||
【主权项】：
1.一种电阻式存储器装置，包括：一存储单元阵列，包括多数个存储器单元，各该存储器单元包括相互堆叠的多数个电阻式存储单元，该多个电阻式存储单元分别耦接至多数条字线，该多个存储器单元并分别耦接至多数条位元线；以及一存储器控制器，耦接该存储单元阵列，其中，该存储器控制器在一设定期间及一重置期间的其中之一提供未连接至一选中电阻式存储单元的多数条未选中位元线一第一位元线电压，并提供未连接至该选中电阻式存储单元的多数条未选中字线一第一字线电压，其中，该第一位元线电压等于一写入电压VW乘以(n‑1)/n，该第一字线电压等于VW×1/n，n为大于3的实数，该存储器控制器在该设定期间及该重置期间的另一提供未连接至该选中电阻式存储单元的该多个未选中位元线一第二位元线电压，并提供未连接至该选中电阻式存储单元的该多个未选中字线一第二字线电压，其中，该第二位元线电压等于VW×1/n，该第二字线电压等于VW×(n‑1)/n，其中各该电阻式存储单元的重置状态的电流电压关系特性与该电阻式存储单元的设定状态的电流电压关系特性不相对称。
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