[发明专利]电阻式存储器装置及其写入方法

说明书

本发明公开了一种电阻式存储器装置及其写入方法，其中，电阻式存储器装置包括存储单元阵列以及存储器控制器。存储器控制器在设定期间及重置期间的其一提供未连接至选中电阻式存储单元的未选中位元线第一位元线电压及未选中字线第一字线电压，其中，第一位元线电压等于写入电压V_W乘以(n‑1)/n，第一字线电压等于V_W×1/n。存储器控制器在设定期间及重置期间的另一提供未连接至选中电阻式存储单元的未选中位元线第二位元线电压，并提供未连接至该选中电阻式存储单元的未选中字线第二字线电压，其中，第二位元线电压等于V_W×1/n，第二字线电压等于V_W×(n‑1)/n。

技术领域

本发明是有关于一种电阻式存储器装置及其写入方法，且特别是有关于一种交错式(cross bar)电阻式存储器及其写入方法。

背景技术

基于对于次世代非挥发性存储器的需求，一种电阻式存储器被提出。这种电阻式存储器可以进行随机的存取动作，并可用以取代NAND闪存存储器。为了提升存储器的密度，一种高密度的垂直排列的三维电阻式存储器也被提出。

在交错式电阻式存储器中，最主要被关心的议题在于，在对于交错式电阻式存储器中的存储单元进行数据写入动作时，与选中的存储单元排列再相同存储行及存储列，且未被选中的存储单元会因为位元线以及字线上所传送的电压值所造成的电压差而造成其电阻值被调整至被重置的区域中，造成储存数据的错误。

上述的状况在于一种不具有不对称的特性的电阻式存储单元尤为严重。此种电阻式存储单元的重置状态的电流电压关系特性与其设定状态的电流电压关系特性不相对称。因此，通过现有的针对电阻式存储单元进行重置以及设定都是利用相同电压的作法来针对具有不对称的特性的电阻式存储单元进行数据写入，显然是较不合适的。

发明内容

本发明的目的在于提供一种电阻式存储器装置以及电阻式存储器的写入方法，可有效防止其电阻式存储单元发生写入错误的现象，有效维持数据的正确性。

本发明的电阻式存储器装置包括存储单元阵列以及存储器控制器。存储单元阵列包括多数个存储器单元，各存储器单包括相互堆叠的多数个电阻式存储单元。电阻式存储单元分别耦接至多数条字线，存储器单元并分别耦接至多数条位元线。存储器控制器耦接至存储单元阵列，其中，存储器控制器在设定期间及重置期间的其中之一提供未连接至选中电阻式存储单元的多数条未选中位元线第一位元线电压，并提供未连接至选中电阻式存储单元的多数条未选中字线第一字线电压，其中，第一位元线电压等于写入电压V_W乘以(n-1)/n，第一字线电压等于V_W×1/n，且n大于3。存储器控制器在设定期间及重置期间的另一提供未连接至选中电阻式存储单元的未选中位元线第二位元线电压，并提供未连接至该选中电阻式存储单元的未选中字线第二字线电压，其中，第二位元线电压等于V_W×1/n，第二字线电压等于V_W×(n-1)/n。

本发明的电阻式存储器的写入方法，其步骤包括：在一设定期间提供未连接至一选中电阻式存储单元的多数条未选中位元线一第一位元线电压，并提供未连接至该选中电阻式存储单元的多数条未选中字线一第一字线电压，其中，第一位元线电压等于一写入电压V_W乘以(n-1)/n，第一字线电压等于V_W×1/n，n大于3；以及，在一重置期间提供未连接至选中电阻式存储单元的未选中位元线一第二位元线电压，并提供未连接至选中电阻式存储单元的未选中字线第二字线电压，其中，第二位元线电压等于V_W×1/n，第二字线电压等于V_W×(n-1)/n。

基于上述，本发明通过针对电阻式存储单元进行重置以及设定提供不相同的字线电压以及位元线电压，以使未选中电阻式存储单元的电阻值可以不受到所接受的字线电压以及位元线电压所影响，而改变其原先所储存的数据，保持数据的正确性。