[发明专利]硅基激光器及其制备方法在审
| 申请号： | 201310662428.8 | 申请日： | 2013-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN104701729A | 公开（公告）日： | 2015-06-10 |
| 发明（设计）人： | 叶辉;夏亮;杨迎春 | 申请（专利权）人： | 华为技术有限公司;浙江大学 |
| 主分类号： | H01S4/00 | 分类号： | H01S4/00 |
| 代理公司： | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人： | 赵丹 |
| 地址： | 518129 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种硅基激光器及其制备方法，涉及半导体技术领域，能够输出足够大功率的光，常温下也能够提供足够强度的光，且工艺简单、应用广泛。包括硅基板层，所述硅基板层之上依次设有发光层及透明导电氧化物层，所述发光层包括量子点层，其中，所述量子点层在外界光照射条件下产生光波；在所述外界光照射条件下，在所述透明导电氧化物层与空气界面上产生表面等离子体共振；在所述外界光照射条件下，在所述透明导电氧化物层与所述发光层界面上产生等离子体共振。本发明适用于通信波段的硅基集成光源。 | ||
| 搜索关键词： | 激光器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种硅基激光器，其特征在于，包括硅基板层，所述硅基板层之上依次设有发光层及透明导电氧化物层，所述发光层包括量子点层，其中，所述量子点层在外界光照射条件下产生光波；在所述外界光照射条件下，在所述透明导电氧化物层与空气界面上产生表面等离子体共振；在所述外界光照射条件下，在所述透明导电氧化物层与所述发光层界面上产生等离子体共振。
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