[发明专利]一种减少单晶硅晶圆片划道的抛光工艺

摘要

本发明提供一种减少单晶硅晶圆片划道的抛光工艺，包括以下步骤:1）清洁抛光机机身、外导轮、中心导轮以及抛光头；2）清洁陶瓷盘；3）刷洗用于装载硅晶圆片的吸附垫表面以及吸附垫槽内；4）将吸附垫粘贴到干燥的陶瓷盘表面；5）手动将硅晶圆片贴到吸附垫槽内；6）上载抛光机进行抛光；7）进行精抛光；8）采用兆声清洗机清洗硅晶圆片。本发明具有的优点和积极效果是：由于采用上述技术方案，增加必要的抛光清洁工艺，从而减少硅晶圆抛光片划伤，达到减少硅晶圆抛片划伤数目的目的，使划伤率≤0.1％。

主权项

一种减少单晶硅晶圆片划道的抛光工艺，其特征在于：包括以下步骤:1）清洁抛光机机身、外导轮、中心导轮以及抛光头；2）清洁陶瓷盘，将清洁完的陶瓷盘浸泡到浓度为10%KOH的溶液中，浸泡1‑5小时后取出，用纯水冲洗陶瓷表面后使其干燥；3）刷洗用于装载硅晶圆片的吸附垫表面以及吸附垫槽内，吸附垫要保持湿润；4）将吸附垫粘贴到干燥的陶瓷盘表面，以便在抛光过程中固定硅晶圆片；5）手动将硅晶圆片贴到吸附垫槽内，并旋转挤压抛光片，把吸附垫槽中多余水挤出，确认硅晶圆片紧紧吸附在吸附垫槽内；6）上载抛光机进行粗抛光，抛光压力为2.0‑2.2bar,抛光时间控制在20‑30min，中心盘转速20‑25rpm，抛光流量控制在58‑62l/h,抛光温度控制在30‑38℃，硅晶圆片去除率控制在0.5‑0.6um/min；7）接着进行精抛光，精抛压力控制在1.0‑1.5bar，抛光时间控制在10‑14min，中心盘转速控制在29‑32rpm，抛光流量58‑62l/h,抛光温度控制在28‑32℃，硅晶圆片去除率控制在0.2‑0.4um/min；8）采用兆声清洗机清洗硅晶圆片，使硅晶圆片清洁度为：>0.2um的颗粒数≤20个。