[发明专利]一种杂化膜的制备方法在审
| 申请号： | 201310652171.8 | 申请日： | 2013-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN104701455A | 公开（公告）日： | 2015-06-10 |
| 发明（设计）人： | 王凤霞;潘革波 | 申请（专利权）人： | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 主分类号： | H01L51/00 | 分类号： | H01L51/00;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 深圳市铭粤知识产权代理有限公司 44304 | 代理人： | 杨林;李友佳 |
| 地址： | 215123 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体材料制备技术，尤其是一种杂化膜的制备方法，包括如下步骤：将有机半导体材料溶于第一溶剂中，形成浓度为0.01～20mg/mL的第一混合物；将无机纳米材料分散到第二溶剂中，形成浓度为0.01～10mg/mL的第二混合物；将所述第一混合物转移至惰性衬底上，静置，待所述第一溶剂挥发后形成有机半导体纳米晶；将所述第二混合物转移至所述有机半导体纳米晶表面，然后进行退火处理，待所述第二溶剂挥发后，获得有机-无机材料形成杂化膜。本发明的制备方法操作简单，不需要高温、高真空的苛刻环境，与印刷电子加工方法如喷墨打印、气溶胶喷印等相兼容，制作周期短、成本低、易于大面积大批量制作。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 杂化膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种杂化膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一：将有机半导体材料溶于第一溶剂中，形成浓度为0.01～20mg/mL的第一混合物；将无机纳米材料分散到第二溶剂中，形成分散浓度为0.01～10mg/mL的第二混合物；步骤二：将所述第一混合物转移至惰性衬底上，静置，待所述第一溶剂挥发后形成有机半导体纳米晶；步骤三；将所述第二混合物转移至所述有机半导体纳米晶表面，然后进行退火处理，待所述第二溶剂挥发后，获得有机‑无机材料形成杂化膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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