[发明专利]一种快速光电探测器

摘要

本发明涉及电子元器件技术，具体的说是涉及一种快速光电探测器。本发明所述的快速光电探测器，包括相连接的光电二极管和放大电路，所述光电二极管包括N+衬底101、N-外延层102、阳极金属电极105和阴极金属电极106，所述N-外延层102设在N+衬底101的上端面，所述N-外延层102中设有P+注入区103，所述P+注入区103的上端面设有抗反射膜104和阳极金属电极105，所述放大电路由多个NMOS管108和PMOS管109组成，其特征在于，所述光电二极管与放大电路之间设置有遮光层，所述遮光层用于对非光敏区进行光屏蔽。本发明的有益效果为从根本上消除了慢光生载流子的产生条件，从而大大提升了光电探测器的响应速度。本发明尤其适用于光电探测器。

主权项

一种快速光电探测器，包括相连接的光电二极管和放大电路，所述光电二极管包括N+衬底（101）、N‑外延层（102）、阳极金属电极（105）和阴极金属电极（106），所述N‑外延层（102）设在N+衬底（101）的上端面，所述N‑外延层（102）中设有P+注入区（103），所述P+注入区（103）的上端面设有抗反射膜（104）和阳极金属电极（105），所述放大电路由多个NMOS管（108）和PMOS管（109）组成，其特征在于，所述光电二极管与放大电路之间设置有遮光层，所述遮光层用于对非光敏区进行光屏蔽。