[发明专利]一种自支撑垂直结构GaN基LED芯片及其制备方法在审
| 申请号： | 201310632252.1 | 申请日： | 2013-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN103618034A | 公开（公告）日： | 2014-03-05 |
| 发明（设计）人： | 张保平;陈明;张江勇;应磊莹 | 申请（专利权）人： | 厦门大学 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/64 |
| 代理公司： | 厦门南强之路专利事务所(普通合伙) 35200 | 代理人： | 马应森 |
| 地址： | 361005 *** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 一种自支撑垂直结构GaN基LED芯片及其制备方法，涉及LED芯片。所述自支撑垂直结构GaN基LED芯片自下而上包括支撑基底、P型电极层、P型GaN基材料层、多量子阱层、N型GaN基材料层和N型电极。在外延片表面镀P型金属电极层；在金属电极层上形成图形化厚金属基底；将样品键合到蓝膜上；采用紫外波段激光光源透过蓝宝石衬底辐照样品，剥离蓝宝石衬底；粗化剥离后暴露出的n-GaN表面；制作n-GaN表面电极，即得。可避免同侧电极带来的电流不均匀性和局部热效应，延长寿命，解决LED芯片散热问题。可避免等离子体刻蚀对发光区的损伤，工艺简化，成本降低。可避免金属基板切割和解决因切割基板而造成的器件短路问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 支撑 垂直 结构 gan led 芯片 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种自支撑垂直结构GaN基LED芯片，其特征在于自下而上包括：支撑基底、P型电极层、P型GaN基材料层、多量子阱层、N型GaN基材料层和N型电极。
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