[发明专利]一种自支撑垂直结构GaN基LED芯片及其制备方法

权利要求书

1.一种自支撑垂直结构GaN基LED芯片，其特征在于自下而上包括：支撑基底、P型电极层、P型GaN基材料层、多量子阱层、N型GaN基材料层和N型电极。

2.如权利要求1所述一种自支撑垂直结构GaN基LED芯片，其特征在于所述支撑基底的厚度为10～200μm。

3.如权利要求1所述一种自支撑垂直结构GaN基LED芯片，其特征在于所述多量子阱层包含InyGa1-yN或AlyGa1-yN,其中y=0～1。

4.如权利要求1所述自支撑垂直结构GaN基LED芯片的制备方法，其特征在于包括以下步骤：

1）在外延片表面镀上P型金属电极层，并当作反射镜使用；

2）采用光刻和镀膜技术在金属电极层上形成图形化厚金属基底；

3）将样品键合到蓝膜上；

4）采用紫外波段激光光源透过蓝宝石衬底辐照样品，剥离蓝宝石衬底；

5）粗化剥离后暴露出的n-GaN表面；

6)制作n-GaN表面电极，得到自支撑GaN基LED芯片。

5.如权利要求4所述自支撑垂直结构GaN基LED芯片的制备方法，其特征在于在步骤1)中，所述金属采用与p-GaN形成欧姆接触并具有高反射率的金属，或先蒸镀与p-GaN形成欧姆接触的材料，再蒸镀具有高反射率的金属。

6.如权利要求4所述自支撑垂直结构GaN基LED芯片的制备方法，其特征在于在步骤1)中，所述金属选自Ag或Al。

7.如权利要求4所述自支撑垂直结构GaN基LED芯片的制备方法，其特征在于在步骤2)中，所述图形化厚金属基底是铜基底、金基底、镍基底、锌基底以及合金基底。

8.如权利要求4所述自支撑垂直结构GaN基LED芯片的制备方法，其特征在于在步骤5)中，所述粗化剥离后暴露出的n-GaN表面采用干法粗化法或湿法粗化法。