[发明专利]通孔或接触孔的形成方法

摘要

本发明公开了一种通孔或接触孔的形成方法，其包括顶层的SOG层通过光刻胶形成第一图案；去除光刻胶并在有机介质层上形成第二图案；去除SOG层并在钝化膜层上形成第三图案；去除有机介质层并在无定型碳层上形成第四图案；去除钝化膜层并在层间介质层上形成第五图案；得到具有通孔或接触孔的半导体结构。本发明通过多层掩膜的转换，使关键尺寸逐渐减小，从而最终得到关键尺寸较小的通孔或接触孔。

主权项

一种通孔或接触孔的形成方法，其特征在于，其包括以下步骤：步骤S01，提供一半导体结构，其包括待形成通孔或接触孔于其上的基底层，该基底层上自下而上依次包括层间介质层、无定型碳层、钝化膜层、有机介质层以及SOG层；步骤S02，在顶层的SOG层上涂布光刻胶，图案化该光刻胶，该光刻胶中的图案位置对应所需形成的通孔或接触孔，通过第一干法刻蚀在该图案的位置在SOG层上形成第一图案并露出有机介质层，以缩减关键尺寸；步骤S03，对该半导体结构进行第二干法刻蚀，去除光刻胶并以具有第一图案的SOG层作为掩膜，在该第一图案的位置在有机介质层上形成第二图案并露出钝化膜层，以缩减关键尺寸；步骤S04，对该半导体结构进行第三干法刻蚀，去除SOG层并以具有第二图案的有机介质层作为掩膜，在该第二图案的位置在钝化膜层上形成第三图案并露出无定型碳层，以缩减关键尺寸；步骤S05，对该半导体结构进行第四干法刻蚀，去除有机介质层并以具有第三图案的钝化膜层作为掩膜，在该第三图案的位置在无定型碳层上形成第四图案并露出层间介质层，以缩减关键尺寸；步骤S06，对该半导体结构进行第五干法刻蚀，去除钝化膜层并以具有第四图案的无定型碳层作为掩膜，在该第四图案的位置在层间介质层上形成第五图案并露出基底层，以缩减关键尺寸；步骤S07，得到具有通孔或接触孔的半导体结构。