[发明专利]一种等离子体处理装置无效
| 申请号： | 201310630699.5 | 申请日： | 2013-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN103794461A | 公开（公告）日： | 2014-05-14 |
| 发明（设计）人： | 王秀珍 | 申请（专利权）人： | 青岛蓝图文化传播有限公司市南分公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京中济纬天专利代理有限公司 11429 | 代理人： | 马娟娟 |
| 地址： | 266000 山东省青*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明提供一种等离子体处理装置，其包括：真空处理腔室；第一电极，位于所述真空处理腔室内，所述第一电极上方安装有放置待处理晶圆的平台，所述第一电极与两个射频电源电连接；非电介质材料层，位于所述第一电极与放置待处理晶圆的平台之间，所述非电介质材料层的电阻率大于所述第一电极的电阻率；第二电极，位于真空处理腔内的与第一电极相对设置的位置；所述非电介质材料层的材质为半导体材质或金属，所述半导体材质为硅、锗、锗硅、碳化硅中的一种或其中的组合，所述非电介质材料层位于所述第一电极的表面上，所述非电介质材料层的电阻率范围为70欧姆/厘米到90欧姆/厘米。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 等离子体 处理 装置 | ||
【主权项】：
一种等离子体处理装置，其包括：真空处理腔室； 第一电极，位于所述真空处理腔室内，所述第一电极上方安装有放置待处理晶圆的平台，所述第一电极与两个射频电源电连接，所述第一电极为圆柱形，所述第一射频电源的频率大于45MHz，第二射频源频率小于25MHz； 非电介质材料层，位于所述第一电极与放置待处理晶圆的平台之间，所述非电介质材料层的电阻率大于所述第一电极的电阻率；第二电极，位于真空处理腔内的与第一电极相对设置的位置；其中所述非电介质材料层的材质为半导体材质或金属，所述半导体材质为硅、锗、锗硅、碳化硅中的一种或其中的组合，所述非电介质材料层位于所述第一电极的表面上，所述非电介质材料层的电阻率范围为70欧姆/厘米到90欧姆/厘米，所述放置待处理晶圆的平台包括：静电吸盘，与所述第一电极的形成有所述非电介质材料层的一侧的表面相对设置，所述静电吸盘用于放置待处理晶圆，所述静电吸盘的远离所述等离子体一侧的形状和大小与所述非电介质材料层的大小和形状对应。
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